01 半导体光照产业项目

项目概况

本项目依托“中国半导体之父”张博士的技术支撑，于杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区（绍兴市柯桥区钱清街道钱清村）新增土地，新增建筑面积4.84 万平方米，购置曝光机、烘烤机、蚀刻机、显影机、光阻涂布机、清洗机等设备，年生产光罩 36000 片。

02 6英寸半导体特色工艺研发及产业化项目

项目概况

项目总投资317698万元，租用大桥镇新大路 232号67651.32厂房，购置光刻机、涂胶显影机、干法刻蚀机、湿法刻蚀机、离子注入、溅射机、PECVD、扩散炉等设备，形成年产64万片6英寸功率器件特色半导体的生产能力。

03 年产1.6亿条引线框架生产项目

项目概况

建设单位已拍土地33248平方米，新建标准厂房、宿舍楼等建筑面积约76941.84平方米(厂房建设项目另行备案实施，本项目不再涉及),采用引线框架铜带、氰化银、氰化银钾等原材料，经前清洗、压膜、曝光、显影蚀刻、电镀、分切、后处理、检测等技术或工艺，购置卷式自动清洗线、卷式自动贴膜机、卷式显影蚀刻退膜机、各类电镀生产线等国产设备；项目建成后，形成年产1.6亿条引线框架的生产能力。本项目电镀生产线仅用于对企业自身产品加工生产，不对外加工。

04 集成电路用半导体大硅片扩建项目

项目概况

本项目将租用芯联集成现有已建A2模组生产厂房闲置区域，建设一条月产0.5万片的6/8英寸兼容碳化硅MOS芯片制造生产线，先形成6英寸碳化硅MOS规模化制造及技术的持续研发和产品积累，待国内8英寸碳化硅衬底片和外延片具备批量供应能力后，快速切换到8英寸，以实现碳化硅MOS产业化制造6英寸向8英寸快速转移，本项目建成后将形成6/8英寸碳化硅晶圆6万片/年的生产规模。

集成电路生产工艺简化流程图

05 新建碳化硅封测建设项目

项目概况

拟在该地块建设标准生产厂房及配套设施，并购置碳化硅功率模块生产线、碳化硅分立器件生产线等半导体封装设备，实施新建碳化硅封测建设项目。

碳化硅功率模块生产工艺流程

06 集成电路用半导体大硅片扩建项目

项目概况

企业投资10亿元，新建生产厂房，总建筑面积1.448万平方米。项目引进集成电路封装测试生产线，同时配置空压机、冷水机组等辅助配套设施，新增就业人1000余人，年开工300天，三班制生产，主要从事传感器、存储器、CPU等器件的封装和测试。形成年产100亿片集成电路的封装测试生产规模。

07 年产600万片半导体功率器件用DPC陶瓷基板技改项目

项目概况

企业拟投资60000万元，租用位于金华金东区江东镇金狮路828号天迈控股股份有限公司现有闲置厂房，引进DPC直接镀铜生产线，从事陶瓷线路基板的生产加工，建成后可形成年产600万片半导体功率器件用DPC陶瓷基板的生产能力。

08 半导体基板300万片生产建设项目

项目概况

项目不新增土地，利用姜贤路 385 号内公司厂房一面积 2950 平方米。项目拟采购高端研磨机、新型全自动抛光机、高速多线切割机等设备，项目达产后实现年产超瓷晶手机屏组件 1700 万片和半导体基板 300 万片。

项目主要生产工艺流程

09 FCBGA封装基板项目

项目概况

本项目分三期建设，一期建设内容为 1#厂房、宿舍一、废水和废液处理设施、危化品库、危废库等，年产 18.72 万片 FCBGA 高端载板的生产及配套设施；二期建设内容为研发楼、年产 9.36 万片 FCBGA 高端载板的生产及配套设施；三期建设内容为 2#厂房、年产 28.08 万片 FCBGA 高端载板的生产及配套设施。

本项目 FCBGA 封装基板项目工艺流程

10 半导体高功率元器件生产和研发二期扩产项目

项目概况

企业租赁海宁经济开发区海宁宏厦装饰新材料科技有限公司厂房 50000 平方米，总投资 55000 万元，引进氮化铝预氧化炉（进口），烧结炉（国产）、真空溅镀线（国产）、填孔电镀线（国产）、激光切割机（国产）等设备。投产后形成年产双面氧化铝覆铜陶瓷基板 1680 万片、单面氧化铝覆铜陶瓷基板1560 万片、氮化铝覆铜陶瓷基板 240 万片、高附加值氮化铝覆铜陶瓷基板 6 万片、铜板（副产）356.18 吨的生产能力。

11 年产60万套IGBTHPD及5万套SiC功率模块技改项目

项目概况

本次一期工厂项目总投资 31355.61 万元，建设两条 IGBTHPD 生产线和一条SiC生产线，年产 60 万套 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）HPD 功率模块和5 万套SiC功率模块。

项目IGBTHPD模块工艺流程及产污环节图