四川省半导体项目公示信息

01微型发光二极管（Micro-LED）生产基地项目

项目概况

租用成都高新区光显柔谷研创园约 4.5 万平厂房，建设一条玻璃基微型发光二极管（Micro-LED）显示屏生产线，项目购置设备约 410 套，建成达产后将实现年生产屏体 18000平方米。

建设单位联系人：徐经理（采购）、葛经理（技术）

联系电话：86-28-810*****    028-8792****

02 年产30亿颗芯片封装项目（一）

项目概况

项目总建设面积32000立方米，建设年产30亿只半导体IC集成电路系列芯片生产线10条，包含MCU、IGBT模块、DFN、QFN、SOP、SOT、MOS等系列芯片（微电子中央控制处理芯片）生产线，构建无尘智能化生产线及生产设备的塑封车间、键合车间和测试车间，产品研发中心、产品展示中心。

建设单位联系人：冉**

联系电话：1588*67****    13421******    134******97

集成电路封装、测试工艺流程图

03 中兆永烨科技生态园（一期）设备购置项目 

项目概况

项目购置设备包含 MPA 印刷机、AOI 检测设备、塑封压机、植球机、激光切割机、固晶机及贴片机等，并设封装测试、SMT（贴片）、存储模组及成品组装、测试、包装生产线，建成后可年产超薄 U 盘、快速闪存卡、SSD 固态硬盘、嵌入式存储器等存储类芯片共计 3300 万件。

建设单位联系人：龚**

联系电话：158****52**   15984******    08176*****6

04 宇隆光电显示控制板成都生产基地项目

 项目概况

项目总投资约 1 亿元，利用租赁厂房约 6660 平方，购置自动贴片机、全自动锡膏印刷机、在线自动 SPI、回流焊、AOI 等关键设备约 130 台，建成液晶控制板、车载显示控制板、OLED 显示控制板等 PCBA 控制板生产线 10条。使用客供电子元件，各类电路控制板元器件。采用 SMT 表面贴装技术，全自动贴片工艺。达到新增年产 PCBA 控制板约 5000 万片的生产能力。

联系电话：023-6317****   18580******

控制板生产工艺流程

05纳米光学镀膜产业园项目

项目概况

新建 4 条光学镀膜生产线，项目建成后年产专业光学玻璃 200 万片。

联系电话：173********   

重庆市市级重点建设项目

06  8英寸碳化硅外延、芯片项目

项目概况

项目位于西永微电子产业园西永组团N分区N7-1/04地块（部分）、N1-7-1/05地块（部分），总占地约310433m2，总建筑面积约255108m2，主要建设碳化硅芯片厂房以及动力厂房、空分站、制氢站、化学品贮存仓库、废水处理站、宿舍楼等公辅设施。项目建构筑物一次建成，产线及其配套分两期实施，一期最终实现年产8英寸芯片26万片，二期最终实现年产芯片26万片，最终全厂达到产能8英寸芯片52万片/年。

建设单位联系人：任*

联系电话：1872****679   187********46

07 重庆12英寸集成电路特色工艺线项目（一期）

项目概况

本项目位于重庆高新区西永微电子产业园，项目占地336亩，项目一期建筑面积约17.8万平方米，主要建设内容包括：研发生产楼、生产厂房、动力站房、大宗气站、供应站，硅烷站、甲乙类化学品库和丙类仓库等配套设施和建筑；项目产线产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电和轨道交通等领域，项目一期建成后，预计月产能2万片，

建设单位联系人：陆**

联系电话：023-6138****   1359****13*   136****32**

08 重庆三安半导体碳化硅衬底项目

项目概况

项目选址西永组团N7-1/04（部分1）、N1-7-1/05（部分1）地块，总用地面积约190066平方米，总建筑面积约129268平方米，分两阶段实施。一阶段主要建设碳化硅长晶衬底厂房1、控制中心、宿舍楼、动力站、气瓶库、化学品库、危废品库等，设置1条衬底生产线，布置合成炉、长晶炉、退火炉、倒角机、切割机、研磨机、清洗机等设备，年产8寸导电衬底26万片。二阶段建设碳化硅长晶衬底厂房2，建设1条衬底生产线，设备与一阶段基本相同，年产8寸导电衬底26万片。最终全厂生产能力为8寸导电衬底52万片/年。

联系电话：18750******

09 奥特斯重庆四期半导体封装载板生产线扩建项目

项目概况

奥特斯科技（重庆）有限公司对D10仓库进行改造，并在三厂C1厂房及D10仓库内新购置部分生产设备（如干膜曝光机、镭射钻孔机、干膜贴膜机等），并依托三厂已有的部分生产设备未利用产能，扩建四期项目，项目建成后年产半导体封装载板5610万片（6万m2/a）。

建设单位联系人：胡霄*    刘**

联系电话：15823******   13350******    02361******

10   6英寸IGBT功率半导体生产线项目

项目概况

建设 6 英寸 IGBT 功率半导体生产线 1 条，使用硅片等原材料，通过清洗、氧化、光刻、蚀刻、多晶硅沉积、氧化硅沉积、金属沉积、离子注入等工艺技术，形成年产 120 万片 IGBT 晶圆的生产能力，同时配套建设一般工业固体废物和危废贮存库、废液罐区、污水处理系统等公辅设施和环保设施。

建设单位联系人：尹伟*

联系电话：159******66    1348*******

11 重庆光掩膜版制造项目

项目概况

建设光掩膜版生产线 1 条，使用空白含铬掩膜板、Pellicle 含铝框等原材料，通过光刻描画、显影和蚀刻等工艺技术，形成年产 2250 张光掩膜版的生产能力，同时配套建设一般工业固体废物和危险废物暂存间、废液罐区、污水处理系统等公辅设施和环保设施。

建设单位联系人：郭江*

联系方式：185****6545   17821******   189*******3

项目工艺流程图

12  重庆欣晖硅及碳化硅部件项目

项目概况

项目新购置土地约 135 亩（工业用地），建设集成电路用核心设备耗材硅及碳化硅部件的生产厂房及厂务配套、生活区等设施，购置晶体生长炉、碳化硅生长炉和精密加工等关键设备共计约 861 台/套（其中进口设备约 475 台/套）。使用电子级多晶硅、甲基三氯硅烷等原材料通过单晶硅生长、碳化硅沉积以及后段精密加工清洗技术，最终实现硅环产能 13 万件/年、硅电极产能 4 万件/年，碳化硅环产能 8 万片/年。项目投资：25 亿元；其中一期投资 12 亿元，二期投资 7 亿元，三期投资 6 亿元。

企业分三个阶段建设：项目一阶段，建设生产厂房及相关配套设施，并购置工艺生产设备 133 台/套，工期为 2023 年 4 月-2025 年 4 月；项目二阶段，购置工艺生产设备342 台/套，工期为 2025 年 1 月-2026 年 6 月；项目三阶段，购置工艺生产设备 342 台/套，工期为 2025 年 11 月-2027 年 10 月。

联系电话：1801******0   18310******

2024重庆市市级重点建设项目