项目名称：厦门士兰集宏半导体有限公司 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目（一期）

建设单位：厦门士兰集宏半导体有限公司

建设性质：新建

投资总额：700000万元

施工工期：17个月

建设地点：福建省厦门市海沧区 05-12 沧江新城片区南海路与南海三路交叉口西北侧

项目概况：项目投产后，将新增国内新能源汽车所需的碳化硅芯片，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8 英寸碳化硅衬底、相关工艺装备的协同发展，对行业发展意义重大。

项目名称：玻璃基芯片特殊工艺研发生产线

建设单位：玻芯成(重庆)半导体科技有限公司

建设性质：新建（迁建）

投资总额：20000万元

施工工期：6 个月

建设地点：涪陵区马鞍街道盘龙路17 号C 厂房

项目主要设备：垂直刻蚀线，显影机等

项目概况： 建设玻璃基芯片特殊工艺研发生产线项目，其中着重建设 TGV、填孔、曝光、显影等环节；并对本项目生产产品开展电学、光学等一系列性能测试；主要包括测试最佳玻璃材料加工参数，10um微孔工艺技术突破，TVG 孔径纵横比大于 10:1 工艺技术验证，X孔型参数优化等。

项目名称：2.5D、3D 先进封装生产线项目

建设单位：长电集成电路（绍兴）有限公司

建设性质：技术改造

投资总额：11999.96万元

施工工期：3个月

建设地点：浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路 500 号

项目概况：项目依托现有生产设备，并新增PECVD 等设备，对现有部分产品增加干法刻蚀和等离子体增强化学气相沉积等工序，建成 2.5D、3D 先进封装生产线，实现年产 60000 片 2.5D、3D 先进封装技术产品的生产能力。

项目名称：MLED显示芯片项目（重新报批）

建设单位：湖南蓝芯微电子科技有限公司

建设性质：新建（迁建）

投资总额：300000万元

施工工期：12个月

建设地点：湖南省娄底市娄底经济技术开发区

项目主要设备：GaN外延制造及其配套设备、清洗及其配套设备、光刻及其配套设备等

项目概况：湖南蓝芯微电子科技有限公司成立于2023年05月18日，注册地址为湖南省娄底市涟滨街道吉星北路旺达创业园31栋4楼4427室。拟投资300000.00万元，进行“湖南蓝芯微电子科技有限公司MLED显示芯片项目”建设。

项目名称：半导体LED 封装、SMT贴片、显示屏、LEDCOB-、封装项目

建设单位：广西鸿海光电科技有限公司

建设性质：新建

投资总额：12000万元

建设地点：南宁市良庆区华威路南向电子产业园2#楼2-5层

项目概况：建设内容及规模：项目租用广西南宁市良庆区华威路16号南向电子产业园2#楼2~5层厂房，总用地面积为11975.44m²。项目主要研发制造室内LEDCOB-mini/micro、室外LEDCOB显示器件和成品显示屏等新产品。项目建成后计划年产100万片高端显示产品、中端产品300万片的产线。

项目名称：新增年产200万片高功率控制模块项目

建设单位：英飞凌半导体（无锡）有限公司

建设性质：技术改造

投资总额：20698万元

建设地点：无锡高新区综合保税区B区行创三路6号

项目概况：英飞凌半导体（无锡）有限公司成立于2015年4月17日，位于无锡高新区综合保税区B区行创三路6号，主要从事设计、研发、制造电子元器件等业务。现根据企业发展需要，英飞凌半导体（无锡）有限公司拟投资20698万元，购置设备60台套，利用现有厂房5400m2布置购置的设备，对功率模块生产线进行技改，技改后新增年产200万片高功率模块。本项目建成后，全厂具有年产功率模块2240万个、高功率模块200万片的生产能力。

项目名称：半导体材料研发中心项目

建设单位：昆明国兴半导体有限公司

建设性质：新建

投资总额：23000 万元

建设地点：云南滇中新区临空产业园滇中新区医疗器械产业园

项目概况: 昆明国兴半导体有限公司拟投资23000万元，在云南滇中新区临空产业园滇中新区医疗器械产业园内租用云南滇中新区临空产业园空厂房，用于从事半导体材料研发及生产活动，项目租用厂房面积为4000.00m2，建设年产硅外延片生产线1条，建成后年产硅外延片3万片。本工程计划于2024年12月开工，2025年2月建成使用，建设工期2个月。

项目名称: 年产120万片12英寸和年产120万片8英寸硅片生产线扩产建设项目

建设单位: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

建设性质: 扩建

投资总额: 65000万元

建设地点: 浙江省杭州市钱塘区东垦路888号

项目概况: 利用现有工业厂房，在现有产能的基础上拟总投资65000万元，购置双面抛光机、双面床、清洗机等生产设备、检测检验设备，以工业互联网集成应用、工业信息安全和工业智能化生产系统等先进技术应用为支撑，提升半导体硅片工厂数字化、智能化生产水平，新增年产120万片12英寸硅片和年产120万片8英寸硅片的生产能力。

项目名称:  半导体级高纯陶瓷产品建设项目

建设单位: 浙江芯之纯半导体材料有限公司

建设性质: 新建

投资总额：30045 万元

建设地点：建德市大洋镇下王村

项目主要设备：三次元坐标测量仪、全自动清洗线等设备

项目概况： 本项目建设规划用地面积约 26702 平方米，总建筑面积19253.1 平方米，建设内容主要包括高纯陶瓷产品生产厂房、生产装置及配套设施，选用先进的高纯碳化硅沉积炉、精密加工水平的数控加工中心、车床、加工中心、三次元坐标测量仪、全自动清洗线等先进设备。项目建成后，可达到年产63100 件套半导体级高纯陶瓷产品的生产规模。

项目名称：年产 200 万套存储模组及系统产品项目

建设单位：硅格半导体（浙江）有限公司

建设性质：新建

投资总额：12000万元

施工工期：5个月

建设地点：浙江省嘉兴市海宁市长安镇新潮路 19 号

项目概况：企业租用海宁市长安镇新潮路19号中瑞(海宁)产业园区B02 幢 2 层海宁仰山资产管理有限公司的空余厂房，总投资 12000 万元，购置YAMAHA 高速贴片机、YAMAHA 泛用贴片机、快速温变箱及 BIB 测试板、自动测试机台、冷热冲击箱等设备，形成年产 200 万套存储模组及系统产品的生产能力，项目建成后，预计年可实现产值 10000 万元。

项目名称：3D 封装工艺研发及工程技术中心二期项目

建设单位：珠海市创智芯科技有限公司

建设性质：扩建

建成后全厂总投资：24570.4万元

施工工期：18个月

建设地点：广东省珠海市金湾区南水镇三虎大道 320号

项目概况：本项目建成后全厂总投资 24570.4万元,总占地面积 33499.19 平方米,总建筑面积 46509.02平方米，主要从事板级类产品和晶圆类产品加工以及银浆的生产加工板级类产品 150万平方米/年，晶圆类产品 70万片/年，生产银浆 10 吨/年。

项目名称：崇州青洋电子半导体单晶硅片生产线技改扩能项目

建设单位：成都青洋电子材料有限公司

建设性质：技改扩能

建设地点：崇州经开区泗维路 265 号

项目主要设备: 自动酸腐机，超声波清洗机，研磨机等

项目概况: 在已取得土地合法使用权的原厂区内，对全厂原有半导体单晶硅片生产线进行扩大产能技术改造。本次改造不涉及新增用地，符合相关规划要求，拟安装全自动酸腐机 1 台、超声波清洗机 1 台、研磨机 5 台、多功能晶片分选机2台，所用设备均不涉及限制类、淘汰类设备。项目建成后实现新增年产半导体单晶硅片1000 万片的生产能力，达到全厂产能 3000 万片/a，年产值新增5000 万元。